[发明专利]一种LDMOS器件结构及其制备方法和性能有效
| 申请号： | 202010841155.3 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN112002755B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 程珍;孙建;何怡刚;袁莉芬;李兵;佐磊;尹柏强 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙) 34126 | 代理人： | 张高飞 |
| 地址： | 230000 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 针对现有技术的不足，本发明提供一种LDMOS器件、制备工艺及性能，本发明所提供的器件利用表面的P型外延层以及渐变式的非等间距分布，对漂移区内的电场分布进行调制，显著提高器件的漂移区掺杂浓度。经仿真分析，与传统SOI‑LDMOS器件相比,MSPtop‑LDMOS器件的BV提高了70.8%、Ron降低了54.4%、品质因子提高了5.4倍。与此同时，该器件还具有工艺简单的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 器件 结构 及其 制备 方法 性能 | ||
【主权项】：
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