[发明专利]一种二维纳米片结构过渡金属-N-C材料的制备方法及其在锂硫电池上的应用有效

专利信息
申请号: 202010841558.8 申请日: 2020-08-20
公开(公告)号: CN112007680B 公开(公告)日: 2021-10-15
发明(设计)人: 张旭;曲宁;杨仕轩;雷达;米盼盼 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: B01J27/24 分类号: B01J27/24;B01J35/00;B01J37/00;B01J37/08;B01J37/32;H01M4/62;H01M10/052
代理公司: 大连理工大学专利中心 21200 代理人: 李晓亮;潘迅
地址: 124221 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种二维纳米片结构过渡金属(M)‑N‑C材料的制备方法及其在锂硫电池上的应用,属于电极材料制备技术领域。制备方法为:将氯化钠、氨基葡萄糖盐酸盐和过渡金属源,溶于去离子水中,搅拌反应,并冷冻干燥,得到炭化前驱体;将炭化前驱体在惰性气体保护下高温处理后用稀盐酸溶液酸洗,洗掉盐模板和负载的过渡金属纳米颗粒,得到二维纳米片结构M‑N‑C材料。本发明采用“盐模板”以及冷冻过程中的“冰模板”法实现了二维纳米片结构,提供大面积固硫和转化硫的活性位点,促进电荷转移,导电性增强;采用水系可溶的氨基葡萄糖盐酸盐,实现均匀掺氮,可以有效吸附多硫化物;经过高温炭化,生成的M‑N键,可以作为催化活性中心能有效的催化多硫化物的转化,进而获得优异的锂硫电池性能。
搜索关键词: 一种 二维 纳米 结构 过渡 金属 材料 制备 方法 及其 电池 应用
【主权项】:
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