[发明专利]三维存储器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种三维存储器及其制造方法。本发明的三维存储器的制造方法包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和依次设于所述衬底上的绝缘层、导体层和堆叠层，所述导体层具有未被所述堆叠层覆盖的外围区；形成垂直贯穿所述导体层而到达所述绝缘层的第一通孔；在所述第一通孔中形成间隙壁；以及在所述第一通孔中形成第一导电部，所述间隙壁设于所述导体层和所述第一导电部之间。本发明的方法可以在不需要额外掩模版的情况下实现导体层与导电部的隔离。