[发明专利]基于负泊松比结构的应变传感器阵列及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202010842975.4 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN114076564A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 刘大顺;陈诚;吕冬;周利民;吴景深 | 申请（专利权）人： | 广州市香港科大霍英东研究院 |
| 主分类号： | G01B7/16 | 分类号： | G01B7/16;C09D11/14;C09D11/03;C09D11/107 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 欧阳锐 |
| 地址： | 511458 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于负泊松比结构的应变传感器阵列及其制备方法和应用，涉及传感器领域。该应变传感器阵列包括依次层叠设置的柔性封装层、压阻敏感层和柔性基底层；所述压阻敏感层包括：应变传感阵列，所述应变传感阵列由若干个传感单元相互连接而成，所述传感单元具有负泊松比性质；柔性电极，所述柔性电极与所述应变传感阵列的两端连接；传感线路，所述传感线路与所述柔性电极连接，所述传感线路用于为所述柔性电极和所述应变传感阵列传输电流；薄膜基片，所述薄膜基片与所述应变传感阵列的一面贴合，所述薄膜基片用于负载所述应变传感阵列和所述柔性电极。本发明的应变传感器阵列具有高灵敏度、大拉伸的特点，可应用于可穿戴电子设备。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 泊松比 结构 应变 传感器 阵列 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州市香港科大霍英东研究院，未经广州市香港科大霍英东研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010842975.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
