[发明专利]一种VDMOS功率器件用二氧化硅层的制备方法有效
| 申请号： | 202010848006.X | 申请日： | 2020-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN111785612B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 董彬;唐发俊;李明达;周幸;薛兵 | 申请（专利权）人： | 中电晶华（天津）半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 杨舒文 |
| 地址： | 300220 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种VDMOS功率器件用二氧化硅层的制备方法，二氧化硅层采用低压工艺生长，生长前对所用石英晶舟，碳化硅桨用酸液进行清洗；将硅衬底片装在晶舟上，然后将晶舟放置在碳化硅桨上；从炉管当前的750℃升到800℃，通入氧气；通入气态三氯乙烯作为生长辅助气体，然后进行湿氧化；通入氧气，通入三氯乙烯气体；将温度从800℃降至750℃，保持通入氮气待硅衬底片温度降低至30~50℃后从晶舟上取出，至此整套工艺完成，硅衬底上形成了二氧化硅层，之后测量监控片二氧化硅层的厚度。降低了炉管内部集聚的颗粒等杂质的含量；降低层错缺陷产生几率，显著提高了二氧化硅层质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 功率 器件 二氧化硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
