[发明专利]包括沟槽电极结构的半导体器件在审
| 申请号： | 202010848723.2 | 申请日： | 2020-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN112420820A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | A·卡穆斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;申屠伟进 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了包括沟槽电极结构的半导体器件。提出了一种半导体器件(100)。半导体器件(100)包括半导体本体(102)，半导体本体(102)包括第一主表面(104)。多个沟槽电极结构(1061、1062、106)沿着第一横向方向(x1)平行地延伸。多个沟槽电极结构(1061、1062、106)中的第一沟槽电极结构(1061)包括栅极电极(108)。栅极接触(110)在栅极接触区域(112)中被电连接到栅极电极(108)。栅极接触区域(112)被沿着第一横向方向(x1)布置在第一区段中。隔离结构(118)被布置在栅极接触区域(112)中的栅极接触(110)和半导体本体(102)之间。隔离结构(118)的底部侧(120)被沿着竖向方向(y)布置在多个沟槽电极结构(1061、1062、106)中的第一沟槽电极结构(1061)的底部侧(122)和第一主表面(104)之间。栅极接触(110)沿着竖向方向(y)延伸达到第一主表面(104)或者在第一主表面(104)下方延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 沟槽 电极 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
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