[发明专利]Nor flash擦除干扰纠正方法及装置在审
| 申请号： | 202010849632.0 | 申请日： | 2020-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN112000290A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 王志刚;李弦;叶谦;王少龙;张文豪 | 申请（专利权）人： | 珠海创飞芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F12/02;G06F11/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 钱娜 |
| 地址： | 519080 广东省珠海市唐*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种Nor flash擦除干扰纠正方法和装置。包括：在闪存芯片的上电信号处于上电复位信号的情况下，在M次对物理存储阵列中的非易失闪存Nor flash阵列块进行块擦除操作时，对所有Nor flash阵列块进行擦除干扰确认与纠正。在剩余的N‑M次对物理存储阵列中的非易失闪存Nor flash阵列块进行块擦除操作时，对选中的物理存储阵列中的Nor flash阵列块进行擦除干扰确认与纠正。在本方案中，对所有Nor flash阵列块进行至少M次擦除干扰确认与纠正，在剩余的N‑M次中，每一次都对选中的Nor flash阵列块进行干扰确认与纠正。以减少整体擦除操作的耗时和功耗，且能够避免存储的数据被改写。 | ||
| 搜索关键词： | nor flash 擦除 干扰 纠正 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海创飞芯科技有限公司，未经珠海创飞芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010849632.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
