[发明专利]一种六方氮化硼薄膜生长方法及六方氮化硼薄膜在审
| 申请号： | 202010854162.7 | 申请日： | 2020-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN112086343A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 孙晓娟;隋佳恩;贾玉萍;张山丽;蒋科;石芝铭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B25/18;C30B28/14;C30B29/40 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 曹卫良 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的六方氮化硼薄膜生长方法，在衬底上形成石墨烯层，对所述石墨烯层进行刻蚀处理，形成具有图案化石墨烯衬底，在所述图案化石墨烯衬底上外延生长六方氮化硼薄膜，由于石墨烯与六方氮化硼晶格结构相近的优点，利用石墨烯作为六方氮化硼薄膜生长的衬底可以有效地降低薄膜中的残余应力。此外，本发明还提供了采用上述方法制备得到的六方氮化硼薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 薄膜 生长 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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