[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202010854203.2 申请日: 2020-08-24
公开(公告)号: CN113380871A 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 花形祥子 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/861;H01L29/739
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 刘英华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供在切断电流时能够降低发生半导体装置的破坏的可能性的半导体装置,该半导体装置具备第1电极、第1导电型的第1至第3半导体区域、第2导电型的第4半导体区域及第2电极。第2半导体区域设置于第1半导体区域之上并沿第1面设置于第1半导体区域的周围。第1面包括与第1方向垂直的第2方向和与第1方向及第2方向垂直的第3方向。在沿第1方向和与第1方向垂直且与第2方向及第3方向交叉的第4方向的第1截面中,第1半导体区域的第1外缘位于比第4半导体区域的第2外缘靠内侧的位置。第1截面中的第1外缘与第2外缘间的第4方向的第1距离比沿着第1方向及第2方向的第2截面中的第1外缘与第2外缘间的第2方向的第2距离长。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
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