[发明专利]半导体存储装置

摘要

实施方式提供一种能够提高成品率的半导体存储装置。根据实施方式，半导体存储装置包括：基板(100)，包括包含存储单元阵列(10)的第一区域(MR)、包含控制存储单元阵列的电路(13)的第二区域(PR)、将第一区域与第二区域分开的第三区域(BR)以及包围第三区域的第四区域(ER)；第一晶体管(TR)，设于第二区域；第二晶体管(DT1a)，在第三区域中，设于第一区域与第一晶体管之间；第三晶体管(DT1b)，在第三区域中，设于第一晶体管与第二晶体管之间；以及第一绝缘层(55)，包括设于第一至第三晶体管的上方的第一部分、以及在第二晶体管与第三晶体管之间与基板相接的第二部分(PW1)。