[发明专利]一种点状三维球状超小电容半导体探测器模型及应用

摘要

本发明属于电极探测技术领域，公开了一种点状三维球状超小电容半导体探测器模型及应用，探测器模型中央电极的半径约为10微米，球状外围电极的宽度约为10微米，探测器的半径约为60微米。硅体即球体，可以是n型或者p型硅基，电极由1×1019/cm3的n或p型重掺杂组成。本发明中点状三维球状超小电容半导体探测器模型对比二维探测器，耗尽电压将不会再受到探测器晶元厚度的限制，仅与电极间距，即本专利探测器的半径有关。对比其他三维电极探测器，电场分布不会有因无法耗尽而存在的低电场区。对比其他三维电极探测器，本发明探测器的电场分布更均匀，更理想。探测器厚度可作为一个参数灵活设计，可大大增加探测器的探测效率。