[发明专利]一种InGaN基光阳极的制备方法有效
| 申请号： | 202010857283.7 | 申请日： | 2020-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN112095117B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 曹得重 | 申请（专利权）人： | 西安工程大学 |
| 主分类号： | C25B11/03 | 分类号： | C25B11/03;C25B11/04;C25B1/04;C23C28/00;C25F3/12;C23C16/34;C25B1/55;C23C14/24;C23C14/18 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 韩玙 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种InGaN基光阳极的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1、在酸性溶液中，采用光电化学刻蚀技术对GaN多层结构进行恒电压刻蚀，制备出中孔GaN镜；步骤2、以中孔GaN镜为衬底，先采用MOCVD技术外延生长InGaN/GaN层，通过能带工程调制In组分，调制其带隙，然后采用电子束蒸发技术，蒸镀欧姆接触电极，制备出InGaN基光阳极；本发明的方法能够制备出开启电压低、效率高及稳定性强的光阳极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ingan 阳极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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