[发明专利]光刻掩模板、对准标记及其制备方法以及湿法刻蚀方法在审
申请号: | 202010858483.4 | 申请日: | 2020-08-24 |
公开(公告)号: | CN112198754A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 李登峰;文高;谭灿健;罗海辉 | 申请(专利权)人: | 株洲中车时代半导体有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F9/00;H01L21/308 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;陈敏 |
地址: | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种光刻掩模板、对准标记及其制备方法以及湿法刻蚀方法,光刻掩模板包括预定对准标记图案的曝光区,位于曝光区内围的至少一个第一遮光区域,位于曝光区的外围的第二遮光区域以及用于连接第一遮光区域和第二遮光区域的至少一个第一遮光连接带区。该光刻掩模板可以在将预定对准标记图案转移到光刻胶层时,使光刻胶层中的独立图形与预定对准标记图案的轮廓外围的光刻胶层连接,避免光刻胶层中的小尺寸独立图形在后续湿法刻蚀工艺中被冲走,从而提高了光刻胶层整体的稳定性,减少了器件因光刻胶层中的独立图形脱落产生的缺陷。 | ||
搜索关键词: | 光刻 模板 对准 标记 及其 制备 方法 以及 湿法 刻蚀 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲中车时代半导体有限公司,未经株洲中车时代半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010858483.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备