[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质在审
| 申请号： | 202010859179.1 | 申请日： | 2020-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN112466775A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 三部诚;竹桥信明 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/687;F27B17/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 孙明轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够以较高的温度处理基板并能减少对炉口部造成的热损伤的基板处理装置。基板处理装置具备：反应管，其在内部构成处理室并在下方具有炉口；加热筒，其设于反应管的外周侧，并针对沿管轴向分割的多个分区的每一个设有加热器；多个加热器温度传感器，其测定与各分区对应的加热器的温度；温度调节器，其基于温度测定数据来控制向各加热器供给的电力，而针对每个分区调节温度；和使晶舟旋转的旋转机构，温度调节器在进行基板的加热处理时，针对每个加热器控制向多个加热器供给的电力，使得将与配置有基板的分区对应的所述加热器设为预先设定的温度，并在炉口侧未配置基板的分区内，形成使温度朝向所述炉口下降的温度梯度。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 半导体器件 制造 方法 记录 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
