[发明专利]碳化硅籽晶生长表面的图形化处理方法和装置及形成的碳化硅籽晶

摘要

本发明公开了一种碳化硅籽晶生长表面图形化处理的方法和装置及形成的碳化硅籽晶。所述处理方法包括：提供一待处理的碳化硅籽晶，所述碳化硅籽晶晶向为正C向[0001]与A向存在2°至20°夹角；于所述待处理的碳化硅籽晶的碳面()上方布置一金属氧化物圆片，所述金属氧化物圆片的下表面与所述待处理的碳化硅籽晶的上表面之间具有250μm至1000μm的间隙；使用一刻蚀气体通过所述间隙，以刻蚀所述待处理的碳化硅籽晶的碳面()，而形成预设槽沟图形。根据本发明提供的处理方法保证了碳化硅籽晶在后续生长中A面()根据有成核和延伸的优势，避免了延C向的缺陷延伸，提高晶体质量。