[发明专利]一种大直径单晶硅放肩生长工艺有效
| 申请号： | 202010860262.0 | 申请日： | 2020-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN112048761B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 李永博;王利超;尚锐刚;王永涛;崔彬;方峰 | 申请（专利权）人： | 有研半导体硅材料股份公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00;C30B15/20 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大直径单晶硅放肩生长工艺。在放肩过程中，放肩初始时放肩温度SP值减少0‑5，在1mm时放肩温度SP值减少1‑2；在15mm时放肩温度SP值减少5‑6，降温速率为0.3；在30mm时，放肩温度SP值减少10‑12，降温速率为0.3；在45mm时放肩温度SP值减少20‑22，降温速率为0.5；在60mm时放肩温度SP值减少31‑33，降温速率为0.7；在75mm时放肩温度SP值减少50‑55，降温速率为1.2；在90mm时放肩温度SP值减少69‑71，降温速率为1.35；在105mm时放肩温度SP值减少90‑92，降温速率为1.42。该工艺能够保证放肩时功率不发生反弹。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直径 单晶硅 生长 工艺 | ||
【主权项】：
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