[发明专利]一种高通量植入式柔性神经电极的制备方法及其结构有效

专利信息
申请号: 202010860818.6 申请日: 2020-08-24
公开(公告)号: CN112107307B 公开(公告)日: 2021-05-25
发明(设计)人: 陶虎;杨会然;周志涛;魏晓玲 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: A61B5/262 分类号: A61B5/262;A61B5/293;A61B5/263
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;贾允
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 本申请实施例所公开的高通量植入式柔性神经电极的制备方法及其结构,方法包括制备衬底及在衬底上制备多个电极区组,每个电极区组含有第一电极区、第二电极区和第三电极区,每个电极区含有第一预设数量的电极,在衬底的多个待制备区域上制备第一绝缘层,在第一电极区上制备第一金属布线层,在第一金属布线层上制备第二绝缘层,在第二电极区上制备第二金属布线层,在第二绝缘层和第二金属布线层上制备第三绝缘层,在第三电极区上制备第三金属布线层,在第二绝缘层、第三绝缘层和第三金属布线层上制备第四绝缘层,沿释放面剥离衬底,得到单一神经电极单元,将第二预设数量的单一神经电极单元与电路板连接,得到高通量植入式柔性神经电极。
搜索关键词: 一种 通量 植入 柔性 神经 电极 制备 方法 及其 结构
【主权项】:
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