[发明专利]钙钛矿发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010860886.2 | 申请日： | 2020-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN114094022A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 许建斌;龙明珠 | 申请（专利权）人： | 香港中文大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;洪欣 |
| 地址： | 中国香*** | 国省代码： | 香港;81 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及钙钛矿发光二极管，包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间的包含钙钛矿的发光层；在所述第一电极与所述发光层之间的空穴传输区；在所述第二电极与所述发光层之间的电子传输区；其中，在所述发光层的一侧表面或两侧表面上直接设置厚度为3纳米至10纳米的PMMA层。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于香港中文大学，未经香港中文大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010860886.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
