[发明专利]图像传感器掺杂外延层形成方法

摘要

本发明公开了一种图像传感器掺杂外延层形成方法，分次进行外延生长，每次外延生长后进行沟槽隔离及离子注入，形成贯穿大厚度掺杂外延层的深浅沟槽隔离。通过外延生长‑沟槽隔离→离子注入循环作业，每次所需的光刻胶及硬掩膜不需要太厚，在沟槽隔离及离子注入过程中光刻胶及刻蚀形貌较好，使制备出的图像传感器的残影问题得到改善。采用该图像传感器掺杂外延层形成方法形成大厚度掺杂外延层，能制备出适用于高量子效率、小像素尺寸、可用于近红外/红外的高性能图像传感器。