[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010861679.9 | 申请日： | 2020-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN113140543A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 李南宰 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768;H01L27/11568;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置包括：位线和公共源极线，其连接至存储器单元阵列，其中位线和公共源极线在第一层级中彼此间隔开；焊盘图案，其在第一层级中与位线和公共源极线间隔开；第一绝缘层，其覆盖位线、公共源极线和焊盘图案；遮蔽图案，其与位线交叠并设置在第一绝缘层上；第一上配线和第二上配线，其在遮蔽图案上方彼此间隔开；多个接触插塞，其从第一上配线和第二上配线朝向位线、公共源极线和焊盘图案延伸，其中，多个接触插塞中的一个或更多个将遮蔽图案连接至第二上配线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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