[发明专利]基底选择性热电转换CoMnSbV薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202010862797.1 | 申请日： | 2020-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN112030124B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 蓝碧健 | 申请（专利权）人： | 太仓碧奇新材料研发有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/58;C23C14/16;H01L35/02;H01L35/20;H01L35/34 |
| 代理公司： | 苏州市方略专利代理事务所(普通合伙) 32267 | 代理人： | 朱智杰 |
| 地址： | 215400 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于电子材料技术领域，具体为一种基底选择性热电转换CoMnSbV薄膜的制备方法。本发明提出的方法是以玻璃、云母、单晶硅、氟化钙晶体、氯化钠晶体、溴化钾晶体、氟化镁晶体为基底，在磁控溅射镀膜机中，通过控制真空度，气体流量，靶基距离，沉积顺序及循环次数，退火温度等，制备CoMnSbV薄膜。CoMnSbV薄膜的热电优值具有基底选择性，最大热电优值可达2，适用于中等规模使用，如汽车废热发电。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 选择性 热电 转换 comnsbv 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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