[发明专利]超级结器件的制造方法在审
| 申请号： | 202010867057.7 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN111900089A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 李昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种超级结器件的制造方法，采用全平工艺实现，包括：形成第零层对准标记；形成超级结，先在第一外延层中形成超级结沟槽，之后在再超级结沟槽中填充第二外延层并平坦化；形成栅极结构，先形成栅极沟槽，之后再填充多晶硅栅并平坦化，在栅极结构的引出位置处的栅极沟槽的宽度满足形成接触孔的要求；采用离子注入和退火推进工艺形成体区；步骤三、形成具有无爬坡的平坦的场氧。本发明能减少光刻层次，降低工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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