[发明专利]一种部分耗尽绝缘体上硅的体接触结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202010867363.0 | 申请日： | 2020-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN112054061A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 高林春;曾传滨;闫薇薇;李晓静;李多力;单梁;钱频;倪涛;王娟娟;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/762;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种部分耗尽绝缘体上硅的体接触结构及制作方法，该部分耗尽绝缘体上硅的体接触结构，包括：底硅层、位于底硅层上的埋氧层、埋氧层上方的体区、源区、漏区、P+体接触区以及两个第一浅沟槽隔离区；体区位于所述埋氧层上方中部；源区和所述漏区分别位于体区相对的两端，两个第一浅沟槽隔离区分别嵌入体区另一相对的两端，且两个第一浅沟槽隔离区的深度小于体区的深度；P+体接触区位于源区外侧且位于埋氧层上方，使得体区与P+体接触区连接，在体区内积累的空穴会泄露到该P+体接触区，能够更好的钳制体区电位，使得阈值电压不会大幅降低，寄生双极晶体管也不易于被触发导通，进而能够很好地抑制浮体效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 部分 耗尽 绝缘体 接触 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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