[发明专利]基于NiFe2O4/Ga2O3的紫外光电二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于NiFe2O4/Ga2O3的紫外光电二极管，本发明还公开了一种基于NiFe2O4/Ga2O3的紫外光电二极管的制备方法，首先对衬底进行清洗，清洗后用氮气吹干待用；在清洗后的衬底上进行P型NiFe2O4层生长；在得到的P型NiFe2O4层上的部分区域进行N型β‑Ga2O3层生长；在得到的P型NiFe2O4层上制作P型NiFe2O4层上的电极；在得到的N型β‑Ga2O3层上制作N型β‑Ga2O3层上的电极，最终形成所述基于NiFe2O4/Ga2O3的紫外光电二极管。本发明解决了现有技术中由于p型Ga2O3材料的缺乏而无法制备Ga2O3基pn结紫外光电二极管的问题。