[发明专利]三维存储器的制造方法有效
| 申请号： | 202010870228.1 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN111968985B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 刘云飞 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/20;H10B43/35;H10B43/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杜娟;骆希聪 |
| 地址： | 430079 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种三维存储器的制造方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构具有衬底、形成于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括核心存储区以及台阶区；在所述核心存储区和所述台阶区上方覆盖介质层；在所述台阶区上方的介质层上方覆盖第一光阻层；对所述第一光阻层进行曝光形成超交联结构层；在所述超交联结构层上方覆盖第二光阻层；去除所述核心存储区上方的介质层；以及去除所述台阶区上方的所述第二光阻层和所述超交联结构层。根据该制造方法，可以减少核心区平坦化工艺中的光阻用量，并能有效地保护台阶区和核心存储区的三维结构，避免出现凹陷缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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