[发明专利]一种片式衰减器的制备方法在审
| 申请号： | 202010871261.6 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN112054273A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 卢炳健;何国强;林瑞芬;莫雪琼;杨晓平 | 申请（专利权）人： | 广东风华高新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/22 | 分类号： | H01P1/22;H01P11/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文;宋亚楠 |
| 地址： | 526000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种片式衰减器的制备方法，其包括以下步骤：步骤一：采用厚膜工艺或物理沉积工艺在基板的正面成型正面电极层，在基板的背面成型背面电极层；步骤二：在基板的正面通过物理或化学方法沉积成型薄膜电阻层；步骤三：采用冷激光扫描切割或离子束刻蚀技术，对薄膜电阻层进行修阻；步骤四：采用物理沉积工艺或涂布工艺在基板的两个侧边上成型侧面电极层，得到片式衰减器。本发明所述的片式衰减器的制备方法，可以解决现有技术中采用厚膜工艺制备片式衰减器以致衰减器产品衰减量不稳定、成本较高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衰减器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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