[发明专利]闪存芯片的读干扰测试方法、装置及可读存储介质在审
| 申请号： | 202010872384.1 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN112017726A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 曹启鹏;王卉;王善屹;胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种闪存芯片的读干扰测试方法、装置及存储介质。所述方法包括：对待测试的闪存芯片进行预操作，所述预操作包括对所述闪存芯片的每个存储位进行至少一次预编程。在本发明实施例中，由于在每次进行读干扰测试之前，先对闪存芯片的每个存储位进行至少一次预编程操作，而闪存芯片在进行预编程操作时，所述芯片的浮栅和隧穿氧化层的交界面上的悬空键受到编程操作电压的影响，吸附电子。因此，通过对闪存芯片在进行一次或多次预编程测试，增大了闪存芯片的数据读取时的隧穿(擦除)电压，进而在对闪存芯片上施加读电压时，即可实现降低闪存芯片发生读干扰(误擦除)的概率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 芯片 干扰 测试 方法 装置 可读 存储 介质 | ||
【主权项】：
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