[发明专利]CMOS器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010872435.0 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN111785689A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 刘宪周 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种CMOS器件及其形成方法，包括：提供衬底，在衬底上形成第一阱区和第二阱区；在第一阱区和第二阱区上形成栅氧化层；在第一阱区的栅氧化层和所述第二阱区的栅氧化层上依次形成多晶硅层、保护层和硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层、所述保护层和所述多晶硅层，形成分别位于所述第一阱区和所述第二阱区上方的多晶硅栅级；形成至少覆盖所述多晶硅栅级侧壁的侧墙；以所述硬掩膜层为掩膜执行漏极轻掺杂。在漏极轻掺杂(LDD)过程中所述多晶硅栅级的顶部有所述硬掩膜层和所述保护层的保护，所述多晶硅栅级的侧壁有侧墙的保护，使多晶硅栅级避免在LDD过程中穿透，提高CMOS器件的阈值电压/漏电流(Vt/ID)一致性。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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