[发明专利]一种DRAM内存时序配置方法和装置有效
| 申请号： | 202010873494.X | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN112099733B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 何灿阳 | 申请（专利权）人： | 瑞芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 徐剑兵;林祥翔 |
| 地址： | 350003 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种DRAM内存时序配置方法和装置，其中方法包括如下步骤：在DRAM内存的预设位置写入第一数据；开启DRAM内存的TDQS功能；在DRAM内存的所述预设位置的部分位写入第二数据，第二数据的位数据与第一数据的位数据不同；关闭DRAM内存的TDQS功能；从DRAM内存的所述预设位置读出数据，判断读出数据是否等于第二数据；如果等于第二数据，则DRAM内存的识别结果为第一DRAM；如果不等于第二数据，则DRAM内存的识别结果为第二DRAM；根据识别结果以及预存的时序表获取对应的时序，所述时序表存储有第一DRAM对应的时序和第二DRAM对应的时序；配置所述对应的时序到DRAM内存。本发明可以识别不同线宽的内存颗粒，可以配置对应时序，提高内存效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dram 内存 时序 配置 方法 装置 | ||
【主权项】：
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