[发明专利]一种基于二硒化铂/n-型超薄硅肖特基结的颜色探测器及其制备方法有效
申请号: | 202010874279.1 | 申请日: | 2020-08-26 |
公开(公告)号: | CN111952403B | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 罗林保;姜心愿;尹翔 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;G01J3/50;H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人: | 卢敏 |
地址: | 230009 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于二硒化铂/n‑型超薄硅肖特基结的颜色探测器及其制备方法,该颜色探测器是由两个相同的二硒化铂/n‑型超薄硅肖特基结单元叠合而成,当光从第一肖特基结单元的上表面逐层照射颜色探测器时,第一肖特基结单元与第二肖特基结单元的电流比,随被探测光波长的增大而减小,从而可根据电流比识别被探测光的波长。本发明的颜色探测器制备工艺简单、成本低廉、性质稳定、电流开关比大、响应速度快。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 二硒化铂 超薄 硅肖特基结 颜色 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥工业大学,未经合肥工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010874279.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种夹取便捷的放射科专用影像观片装置
- 下一篇:组合物及层叠体
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的