[发明专利]一种减少氧化镓衬底层厚度的方法在审
| 申请号： | 202010874399.1 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN111968918A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 徐光伟;俞扬同;赵晓龙;龙世兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L21/461 | 分类号： | H01L21/461;H01L21/465;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明提供一种减少氧化镓衬底层厚度的方法，包括：S1，对氧化镓上表面进行刻蚀；S2，分别在所述氧化镓和硅片上表面依次生长第一金属层和第二金属层；S3，对所述氧化镓和所述硅片的第二金属层进行刻蚀；S4，将所述氧化镓的第二金属层和硅片的第二金属层键合，使所述氧化镓粘附在所述硅片上；S5，对粘附在硅片上的氧化镓进行厚度减薄。本发明提供的方法能够通过金‑金键合使Ga |
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| 搜索关键词： | 一种 减少 氧化 衬底 厚度 方法 | ||
【主权项】：
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