[发明专利]用于半导体晶片的通孔的钝化方法

摘要

一种用于半导体晶片的通孔的钝化方法，该方法至少包括以下步骤：提供具有上侧、下侧并且包括多个太阳能电池堆叠的半导体晶片，其中，每个太阳能电池堆叠按顺序地具有构成半导体晶片的下侧的Ge衬底、Ge子电池、至少两个III‑V族子电池，并且具有至少一个贯通开口，所述至少一个贯通开口从半导体晶片的上侧延伸至下侧并且具有连贯的侧壁和椭圆形横截面的外周；借助化学气相沉积将介电的隔离层施加到半导体晶片的上侧、半导体晶片的下侧和贯通开口的侧壁上。