[发明专利]氧化硅的选择性蚀刻液及其应用和使用方法在审
| 申请号： | 202010875704.9 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112111280A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 何珂;戈士勇;展红峰 | 申请（专利权）人： | 江苏中德电子材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/10 | 分类号： | C09K13/10;H01L21/311 |
| 代理公司： | 江阴义海知识产权代理事务所(普通合伙) 32247 | 代理人： | 林友琴 |
| 地址： | 214400 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧化硅的选择性蚀刻液及其应用和使用方法。该氧化硅的选择性蚀刻液的组成及其为：60‑80％的磷酸、1‑3％的硝酸、8‑12％的醋酸、1‑3％的氟硼酸、0‑1％表面活性剂、0‑1％腐蚀抑制剂、余量为水。其中，腐蚀抑制剂优选可溶性的碳酸氢盐。与现有技术相比，本发明蚀刻液对氧化硅具有速度适中的腐蚀性，且对多晶硅腐蚀性也大大下降，对氮化硅的腐蚀性更为微乎其微，对铝金属还一定的缓蚀作用，具有安全系数更高、方便客户端的药液处理方便和管控等优点，特别适合用于以氮化硅介质保护层、以铝铜合金为金属层的晶圆在铝铜合金湿法蚀刻过程中原位沉积生成的氧化硅薄层的蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 选择性 蚀刻 及其 应用 使用方法 | ||
【主权项】：
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