[发明专利]等离子体处理装置及处理基板的方法在审
申请号: | 202010876613.7 | 申请日: | 2020-08-27 |
公开(公告)号: | CN112466734A | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 横田聪裕 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/3065 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 任玉敏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明所公开的一种等离子体处理装置具备腔室、基板支撑器、等离子体生成部以及第1和第2电磁铁组件。基板支撑器配置于腔室内。基板支撑器上的基板的中心位于腔室的中心轴线上。等离子体生成部构成为在腔室内生成等离子体。第1电磁铁组件构成为包括一个以上的第1环状线圈,且配置于腔室上或其上方,并且在腔室内生成第1磁场。第2电磁铁组件构成为包括一个以上的第2环状线圈,且在腔室内生成第2磁场。第2磁场在基板支撑器上的基板的中心降低第1磁场的强度。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
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