[发明专利]等离子体处理装置及处理基板的方法在审

专利信息
申请号: 202010876613.7 申请日: 2020-08-27
公开(公告)号: CN112466734A 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 横田聪裕 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/67;H01L21/3065
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 任玉敏
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明所公开的一种等离子体处理装置具备腔室、基板支撑器、等离子体生成部以及第1和第2电磁铁组件。基板支撑器配置于腔室内。基板支撑器上的基板的中心位于腔室的中心轴线上。等离子体生成部构成为在腔室内生成等离子体。第1电磁铁组件构成为包括一个以上的第1环状线圈,且配置于腔室上或其上方,并且在腔室内生成第1磁场。第2电磁铁组件构成为包括一个以上的第2环状线圈,且在腔室内生成第2磁场。第2磁场在基板支撑器上的基板的中心降低第1磁场的强度。
搜索关键词: 等离子体 处理 装置 方法
【主权项】:
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