[发明专利]一种可控硅的制作方法在审
| 申请号： | 202010876712.5 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN111968915A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 郑锦春;郑李耿 | 申请（专利权）人： | 锦州市锦利电器有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/332 | 分类号： | H01L21/332;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 杨媛媛 |
| 地址： | 121000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种可控硅的制作方法，制作圆形PNP结构硅片；将钼片层、铝箔和所述PNP结构硅片进行烧结成为一个整体，记为集成芯片；将所述集成芯片进行蒸铝，使所述集成芯片的上端面形成铝层；对蒸铝后的所述集成芯片通过合金炉进行合金；将合金后的所述集成芯片按照各所述钼片的边进行分割，获得N个单独的芯片。本发明通过集成烧结、集成蒸铝、集成合金的方式，提高可控硅生产效率，同时提高硅片的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可控硅 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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