[发明专利]半导体缺陷扫描程式建立方法及其建立系统在审
| 申请号： | 202010877248.1 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112038248A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 袁增艺 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G06F16/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体缺陷扫描程式建立方法，包括选择工艺平台和工艺流程；在上述工艺平台和工艺流程下，选择基准产品；采集基准产品不同工艺层次后的缺陷扫描程式数据，建立数据库；将新产品的工艺平台、工艺流程以及对应材料参数与基准产品的工艺平台、工艺流程以及对应材料参数进行比较；若无差异，则对新产品定义缺陷扫描区域后使用基准产品对应层级的缺陷程式参数一次性建立新产品扫描程式；若存在差异，则将该新产品作为基准产品建立数据库。本发明还公开了一种半导体缺陷扫描程式建立系统。本发明在新产品投产时能一次性自动建立该产品全工艺流程缺陷扫描程式，能大幅提高缺陷扫描程式建立效率，提高生产率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 缺陷 扫描 程式 建立 方法 及其 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
