[发明专利]改善铜互连工艺中丘状凸起缺陷的方法在审
| 申请号： | 202010877270.6 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112038286A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 魏想 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 栾美洁 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改善铜互连工艺中丘状凸起缺陷的方法，包括：步骤S1，形成铜衬底图形的半导体器件；步骤S2，在半导体器件的表面沉积300℃～350℃的碳化硅薄膜作为作为铜溢出阻挡层；步骤S3，碳化硅薄膜沉积后利用300℃～350℃低温炉管工艺进行热退火处理，步骤S4，在铜溢出阻挡层的表面沉积作为刻蚀阻挡层的高温氮化硅薄膜。本发明在铜CMP之后400℃高温沉积氮化硅薄膜之前低温沉积一薄层的碳化硅薄膜并以其作为铜溢出阻挡层，还在铜溢出阻挡层形成后进行低温炉管退火处理，利用碳化硅层阻挡铜的溢出，降低铜的扩散，而且退火处理后的碳化硅层可以更好地与铜表面发生粘附，且退火后的铜性质也更加稳定，起到稳定铜表面的作用，进一步地改善丘状凸起的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 互连 工艺 中丘状 凸起 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
