[发明专利]CMOS工艺中P型多晶硅电阻和p型扩散区电阻反向调节方法在审
| 申请号： | 202010878375.3 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112038293A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 石晶;朱巧智 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种CMOS工艺中P型多晶硅电阻和p型扩散区电阻反向调节方法，形成P型扩散区电阻的扩散区；形成P型多晶硅电阻的多晶硅结构；在CMOS工艺源漏区离子注入的过程中，在扩散区和多晶硅结构上注入能量为8keV的氟离子；在多晶硅结构上覆盖一层SAB结构，并将多晶硅结构的两端露出；在扩散区上覆盖一层SAB结构，并将扩散区的两端露出；在多晶硅结构两端露出的部分和扩散区两端露出的部分分别形成接触孔。本发明通过在MOSFET器件源漏区域形成过程中调整联合注入氟离子的能量，同时改变P型多晶硅中晶粒尺寸和扩散区硼离子浓度分布，进而实现P型多晶硅电阻和P型扩散区电阻阻值的反向调节。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 工艺 多晶 电阻 扩散 反向 调节 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
