[发明专利]一种快速制备易于切割的高性能Bi2有效

专利信息
申请号: 202010878514.2 申请日: 2020-08-27
公开(公告)号: CN112002796B 公开(公告)日: 2021-09-07
发明(设计)人: 唐新峰;张政楷;苏贤礼;唐昊 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: H01L35/16 分类号: H01L35/16;H01L35/34;C30B29/46;C30B28/02
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 张秋燕
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种快速制备易于切割的高性能p型或n型Bi2Te3基热电材料的方法,采用高纯单质作为初始原料,熔融得到p型或n型Bi2Te3基锭体;然后进行低速熔体旋甩,所得薄片平铺在模具中进行放电等离子活化烧结,得到易于切割的高性能p型或n型Bi2Te3基热电材料。本发明通过直接烧结熔体旋甩得到的取向性薄带,使得最终烧结得到的热电材料块体部分保留了薄带的取向性,在提升力学性能的同时得到最优性能方向与区熔样品一致的热电材料,可以直接使用目前已经成熟的区熔材料切割与后续处理工艺,相对于常规多晶材料显著提升材料的使用率和后处理效率。
搜索关键词: 一种 快速 制备 易于 切割 性能 bi base sub
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉理工大学,未经武汉理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010878514.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top