[发明专利]共含锗和氮杂质的单晶硅片、其制备方法以及包含所述硅片的集成电路有效
| 申请号： | 202010878896.9 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN111733455B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 马向阳;孙玉鑫;赵统;兰武;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00;C30B15/04;H01L29/167 |
| 代理公司： | 杭州坚果知识产权代理事务所(普通合伙) 33366 | 代理人： | 张剑英 |
| 地址： | 310058 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种共含锗和氮杂质的原生单晶硅片，所述的原生单晶硅片包含锗、氮、氧三种杂质，其中锗浓度的范围为2200‑10000ppma，氮浓度的范围为10‑90 ppba，氧浓度的范围为10‑18ppma。与现有技术相比，本发明提供一种全新的解决方案，首次实现了对原生单晶硅片中COPs的有效控制，即和普通原生硅片相比，本发明制得的原生单晶硅片同时具有尺寸减小、数量减少的特点，甚至本发明制得的原生单晶硅片表面及内部完全不含COPs，可以直接用于集成电路，基本避免了热处理的弊端，对集成电路制造具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 共含锗 杂质 单晶硅 制备 方法 以及 包含 硅片 集成电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010878896.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
