[发明专利]一种用PECVD设备制备钝化接触电池的方法在审
| 申请号： | 202010879928.7 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112071950A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 杜哲仁;马丽敏;陈嘉;刘荣林 | 申请（专利权）人： | 江苏杰太光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/0216;C23C16/56;C23C16/511;C23C16/24;C23C16/02 |
| 代理公司： | 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 | 代理人： | 吴倩 |
| 地址： | 225500 江苏省泰州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明的一种用PECVD设备制备钝化接触电池的方法，包括如下步骤：S1.选取晶体硅基体，对硅片进行预处理；S2.将步骤S1处理后的晶体硅基体放入板式PECVD设备，在板式PECVD工艺腔内首先完成隧穿氧化层沉积，然后在隧穿氧化层上面沉积原位掺杂非晶硅层；S3.将步骤S2处理后的晶体硅基体进行退火处理，使掺杂非晶硅完成晶化，从而得到掺杂多晶硅层。本发明具有以下技术效果：①单面成膜，无绕镀；②成膜温度低，不会造成基片弯曲；③无卡槽印，整面成膜均匀；④采用微波方式激发对基片的表面轰击损伤更小，钝化性能更好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pecvd 设备 制备 钝化 接触 电池 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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