[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010881146.7 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN111968955B | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 杨帆;胡胜;吕功 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/498;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆背面具有焊盘区；形成绝缘介质层和插栓结构于所述第一晶圆背面的焊盘区，所述绝缘介质层覆盖所述第一晶圆背面的焊盘区并暴露所述插栓结构，所述插栓结构形成于至少从所述第一晶圆的背面延伸至所述第一晶圆内的开孔中；形成第一开口于所述绝缘介质层中，所述第一开口暴露出所述第一晶圆的背面；以及，形成焊盘于所述绝缘介质层上，所述焊盘与所述插栓结构电性连接，且焊盘与所述第一开口暴露出的所述第一晶圆的背面接触。本发明的技术方案使得在降低半导体器件的寄生电容的同时，还能避免增大刻蚀工艺的难度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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