[发明专利]一种MEMS结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010881842.8 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN111866685A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 刘端;李冠华;夏永禄 | 申请（专利权）人： | 安徽奥飞声学科技有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/01 | 分类号： | H04R19/01;H04R19/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230092 安徽省合肥市合肥市高新区习友路33*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种MEMS结构，包括：衬底，具有空腔；振动支撑层，形成在衬底上方并且覆盖空腔；第一电极层，形成于振动支撑层上方；压电层，形成于第一电极层上方，压电层具有凹槽，凹槽在厚度方向上延伸穿透压电层，凹槽将MEMS结构分割成中间区域和外围区域；第二电极层，形成在压电层的中间区域和外围区域上方。通过在MEMS结构内设置凹槽，使得中间区域的各个膜层和外围区域的各个膜层能够输出电压反号，有效减少了电荷中和，从而提高了MEMS结构的灵敏度。另外，本申请还提供了该MEMS结构的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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