[发明专利]一种基于表面等离子体激元效应的SERS基底的设计方法

摘要

本发明公开了一种基于表面等离子体激元效应的SERS基底的设计方法，包括如下步骤：采用时域有限差分算法，设置SERS基底的结构，包括SiO2基底层、Au金属薄膜层、SiO2介质层；确定仿真的初始条件；依次改变Au金属薄膜层的厚度、SiO2介质层的厚度、Au顶层金属层的厚度、以及双圆孔结构的缝距大小，利用FDTD solution软件计算SERS基底的电场强度分布，根据电场强度分布计算SERS基底的增强因子，筛选出增强因子较大的结构作为优化之后的SERS基底。本发明设计的结构可以有效的将入射光能量转换为表面等离子体波能量，并利用刻蚀纳米双孔有序阵列的复合膜SERS基底，产生LSPR和PSPR的有效耦合，从而最大限度的增强SERS信号。