[发明专利]氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202010883958.5 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN112216742B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 苏晨;胡加辉;王慧;蒋媛媛;张武斌;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/36;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片包括衬底以及层叠在所述衬底上的缓冲层、高阻缓冲层、沟道层、AlGaN势垒层和帽层，所述帽层包括交替生长的第一子层和第二子层，所述第一子层为GaN层，所述第二子层为InGaN层，所述第一子层和所述第二子层中均掺杂有主掺杂元素，所述主掺杂元素为Be或Mg，所述第二子层中还掺杂有辅助掺杂元素，所述辅助掺杂元素为O、Mg、Si或Zn。该氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片可以减少络合物的产生，降低帽层中P型掺杂剂的激活能，从而获得高掺杂浓度的P型帽层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓基高 电子 迁移率 晶体管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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