[发明专利]一种铯锡碘薄膜、其制备方法及应用

摘要

本发明公开一种铯锡碘薄膜、其制备方法及应用，所述Cs2SnI6薄膜的制备方法，包括以下步骤：（1）将碘化铯与碘化锡加入DMSO或DMSO和DMF的混合溶剂中，在20~70℃搅拌溶解，配成Cs2SnI6前驱体溶液；（2）以步骤（1）中配制得到的前驱体溶液在N2氛围下静置陈化3天~10天后，旋涂沉积在衬底上得到前驱体薄膜；（3）将步骤（2）中得到的前驱体薄膜放置在温度为30‑70℃的热台上静置1.0min~40min；然后再放在旋涂机上，滴40μL‑100μL补充溶液，该溶液滴上之后旋涂干；（4）对步骤（3）中得到的薄膜退火处理，得到Cs2SnI6薄膜。