[发明专利]高介低损耗耐高压电容器用陶瓷介质材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010884672.9 申请日: 2020-08-28
公开(公告)号: CN111960817A 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 湛新星 申请(专利权)人: 湛新星
主分类号: C04B35/468 分类号: C04B35/468;C04B35/622
代理公司: 北京化育知识产权代理有限公司 11833 代理人: 尹均利
地址: 550001 贵州省贵阳市云*** 国省代码: 贵州;52
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摘要: 发明公开了一种高介低损耗高压电容器用陶瓷介质材料及其制备方法。该材料由固溶体主料Ba(Ti1‑x‑yZrxNby)O3·mZnO,BaZrO3和二次添加剂和一种以上的稀土氧化物组成,可在1240~1320℃温度范围内烧结,形成具有优良的介电性能和显微结构的Y5V型高介电常数,低介电损耗介质材料。材料的室温介电常数在17000以上,容温变化率介于+22%~82%,室温介电损耗1.0%,交流击穿场强高于3.5kv/mm。本发明提供的材料及其制备方法适用于制造大容量、高耐压、高性能的多层陶瓷电容器,具有广阔的工业化运用前景。
搜索关键词: 高介低 损耗 高压 电容 器用 陶瓷 介质 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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