[发明专利]背照式图像传感器在审
申请号: | 202010884876.2 | 申请日: | 2020-08-28 |
公开(公告)号: | CN111785750A | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 顾珍;田志;王奇伟;陈昊瑜 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种背照式图像传感器。所述背照式图像传感器中对应于像素区和光学黑体区,半导体基底中分别形成有多个第一沟槽隔离和多个第二沟槽隔离,第一沟槽隔离和第二沟槽隔离均从半导体基底的背面沿远离所述背面的方向延伸且具有相同的深度,而第一沟槽隔离的宽度小于所述第二沟槽隔离的宽度。第一沟槽隔离可以隔离照射到像素区的各像素的入射光,并有助于使入射光发生折射以增加入射光的光程,增加图像传感器的量子效率,而光学黑体区中,较宽的第二沟槽隔离可以有效阻挡来自像素区的散射光进入光学黑体区,有助于提高背照式图像传感器的成像质量和色阶覆盖范围。 | ||
搜索关键词: | 背照式 图像传感器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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