[发明专利]表面增强拉曼散射基底及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202010884985.4 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN111896523A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 徐国良;李威威;陈明;杨春雷 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;黄进 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种表面增强拉曼散射基底，其包括：支撑衬底，呈直立状地生长于所述支撑衬底上的半导体纳米片阵列；以及，沉积于所述半导体纳米片阵列上的贵金属层。本发明还提供了如上所述的表面增强拉曼散射基底的制备方法及其在检测待测物的拉曼信号的应用。本发明提供的表面增强拉曼散射基底，其中的检测功能层包括由半导体纳米片阵列和贵金属层构成的半导体‑金属的异质结结构，其不仅具有物理增强作用，还具有较强的化学增强作用，从而使该结构具有非常高的表面增强拉曼活性，并且具有很高的稳定性和重复性。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 增强 散射 基底 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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