[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
申请号: | 202010885689.6 | 申请日: | 2020-08-28 |
公开(公告)号: | CN112447852A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 李光永;李珍旭 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/02 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张帆 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种半导体装置包括设置在衬底上的源极/漏极图案和连接到源极/漏极图案的源极/漏极触点。源极/漏极触点包括在第一方向上延伸的下触点结构和从下触点结构突出的上触点结构。上触点结构包括在第一方向上彼此背离的第一侧壁和第二侧壁。上触点结构的第一侧壁包括多个第一子侧壁,并且各个第一子侧壁包括凹面。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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